Componente Electrónico en Stock MT57W1MH18JF-4 165 TBGA Memoria
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Atributos
SRAM - DDR2La tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
1M x 18Organización de la memoria
Montaje en superficieTipo de montaje
MT57W1MH18JF-4Número de pieza del fabricante
OriginalMarca
Tamaño de la memoria:18Mbit
Lugar del origen:China
Descripción:IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA
Tipo de embajaje:A granel
Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 70°C (TA)
PAQUETE/cubierta:165-TBGA
Serie:-
-Tensión de alimentación:1.7V ~ 1.9V
Frecuencia de reloj:250 MHz
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de memoria:Paralelo
Formato de memoria:SRAM
Características clave
La tecnología
SRAM - DDR2
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
1M x 18
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Número de pieza del fabricante
MT57W1MH18JF-4
Marca
Original
Tamaño de la memoria
18Mbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA
Tipo de embajaje
A granel
Temperatura de funcionamiento
0°C ~ 70°C (TA)
PAQUETE/cubierta
165-TBGA
Serie
-
-Tensión de alimentación
1.7V ~ 1.9V
Frecuencia de reloj
250 MHz
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de memoria
Paralelo
Formato de memoria
SRAM
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
11 - 3,010 unidades
EUR 1667
>= 3,011 unidades
EUR 835
Variantes
ElegirCódigo de fecha de fabricación
NUEVO
Envío
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