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Principales mercados: Estados Unidos de América, Suecia, Eslovaquia, Tailandia, Israel

Componente Electrónico en Stock, Memoria MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT TR

Sin reseñas
EUR475
1,000-3,999 unidades
EUR238
≥4,000 unidades
Código de fecha de fabricación

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT TR

Tipo de montaje

Montaje en superficie

Tamaño de la memoria

8 Gbit (NAND), 4 Gbit (LPDRAM)

Lugar del origen

China

Descripción

IC FLASH RAM 8GBIT PAR 200MHZ

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Características clave

Marca
Original
Número de pieza del fabricante
MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT TR
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Tamaño de la memoria
8 Gbit (NAND), 4 Gbit (LPDRAM)
Lugar del origen
China
Descripción
IC FLASH RAM 8GBIT PAR 200MHZ
Tipo de embajaje
Cinta y carrete (TR)
Temperatura de funcionamiento
-25°C ~ 85°C (TA)
PAQUETE/cubierta
-
Serie
-
Tipo de memoria
No volátil, Volátil
La tecnología
FLASH - NAND, LPDRAM móvil
-Tensión de alimentación
1.7V ~ 1.95V
Frecuencia de reloj
200 MHz
Organización de la memoria
512M x 16 (NAND), 128M x 32 (LPDRAM)
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de memoria
Paralelo
Formato de memoria
FLASH, RAM

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores