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Transistores GPI90010DF88 8-DFN en Stock, Componente Electrónico

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100-3,099 unidades
EUR 1.93
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

GPI90010DF88

Marca

Original

Descripción

GaNFET N-CH 900V 10A DFN8x8

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-DFN (8x8)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
GPI90010DF88
Marca
Original
Descripción
GaNFET N-CH 900V 10A DFN8x8
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-DFN (8x8)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
900 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
10A
Rds (Max) @ Id Vgs
162mOhm @ 2.5A, 6V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.2V @ 3.5mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
2.6 nC @ 6 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
78 pF @ 400 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
6V
Vgs (Max)
+7.5V, -12V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
GaNFET (nitruro de galio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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