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Componentes Electrónicos de Circuito de Memoria MT62F768M32D2DS-023 AAT:C 315 TFBGA en Existencia

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Atributos

Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
24 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos en Línea
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - LPDDR5X móvil
-Tensión de alimentación:1,01 V ~ 1,12 V
Frecuencia de reloj:4,266 gigahercios
Organización de la memoria:768 millones x 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:lámpara de luz

Características clave

Tipo
Componente y Pieza
Código de fecha de fabricación
Nuevo
Tamaño de la memoria
24 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos en Línea
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SDRAM - LPDDR5X móvil
-Tensión de alimentación
1,01 V ~ 1,12 V
Frecuencia de reloj
4,266 gigahercios
Organización de la memoria
768 millones x 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
lámpara de luz

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripciónes de los productos del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores
1050 - 4049 unidades
EUR 990
>= 4050 unidades
EUR 495

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