Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
1 MbitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos en Línea
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM
-Tensión de alimentación:2,5 V ~ 5,5 V
Frecuencia de reloj:20 megahercios
Organización de la memoria:128K por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruples
