SANNY TECH LIMITED
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MOSFET de Canal N en Stock, N-CH 200V 15.2A, Componente Electrónico de Producción BSZ900N20NS3G PG-TSDSON-8
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1-4,999 unidades
EUR 0.2064
≥5,000 unidades
Cantidad
Características principales
Número de Modelo
BSZ900N20NS3G
Tipo de montaje
Montaje superficial
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
Canal N
Embalaje
PG-TSDSON-8, Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT)
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Características clave
Número de Modelo
BSZ900N20NS3G
Tipo de montaje
Montaje superficial
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
Canal N
Embalaje
PG-TSDSON-8, Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT)
tipo4
FETs individuales, MOSFETs
Descripción
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Serie
OptiMOS
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Tensión drenador-fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25C
15.2A (Tc)
Tensión de accionamiento (Rds On máx., Rds On mín.)
10V
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg