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Transistores NVMFS021N10MCLT1G 5-DFN en Stock, Compre Componentes Electrónicos en Línea

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≥3,100 unidades

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Número de pieza del fabricante

NVMFS021N10MCLT1G

Marca

Original

Descripción

PTNG 100V LL SO8FL

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
NVMFS021N10MCLT1G
Marca
Original
Descripción
PTNG 100V LL SO8FL
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
100 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
8.4A (Ta), 31A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
23mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 42µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
850 pF @ 50 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), Cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

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