In Stock P-Channel 150V 4.4A/22A 8PQFN Single Mosfet Transistors FDMS86263 FDMS86263P

Puntuación de la tienda: 5.0

(60 reseñas)

Shenzhen Hyst Technology Co., Ltd.

Proveedor multiespecialidad

17 años

CN

Atributos

Transistor BipolarTipo

Interruptor de cargaUso

Montaje superficialTipo de paquete

Montaje superficialTipo de Montaje

EstándarFET característica

Hoja de DatosLos medios disponibles

Número de Modelo:FDMS86263P

Marca:Original manufacturer

Descripción:--as datasheet

Lugar del origen:Taiwan, China

PAQUETE/cubierta:--as datasheet

Temperatura de funcionamiento:standard

Serie:--as datasheet

d/c:New Date code

Tipo de Proveedor:Fabricante original

Corriente de colector (Ic) (máx.):--as datasheet

-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):--as datasheet

Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:--as datasheet

Corriente de colector de corte (Max):--as datasheet

Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:--as datasheet

Poder-Max:--as datasheet

-Frecuencia de transición:--as datasheet

Resistencia Base (R1):--as datasheet

Resistencia-emisor Base (R2):--as datasheet

FET tipo:--as datasheet

Tensión de drenador a fuente (Vdss):--as datasheet

Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:--as datasheet

Rds (Max) @ Id Vgs:--as datasheet

Vgs (th) (Max) @ Id:--as datasheet

La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:--as datasheet

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):--as datasheet

Frecuencia:--as datasheet

Corriente nominal (en amperios):--as datasheet

Ruido:--as datasheet

Potencia de salida:--as datasheet

-Tensión nominal:--as datasheet

Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):--as datasheet

Vgs (Max):--as datasheet

Tipo IGBT de:--as datasheet

Vce (on) (Max) @ Vge Ic:--as datasheet

Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:--as datasheet

De entrada:--as datasheet

Termistor NTC:--as datasheet

-Tensión de distribución (V (BR) GSS):--as datasheet

Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):--as datasheet

Corriente de drenaje (Id).:--as datasheet

-Tensión de corte (VGS) @ Id:--as datasheet

Resistencia-On (RDS):--as datasheet

Tensión de salida-salida:--as datasheet

-Tensión Offset (Vt):--as datasheet

Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):--as datasheet

Corriente de Valle Iv):--as datasheet

Corriente de pico:--as datasheet

Tipo de Transistor:--as datasheet

Tipo de montaje:--as datasheet

FET Type:P-Channel

Drain to Source Voltage (Vdss):150 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs:53mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id:4V @ 250uA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:63 nC @ 10 V

Vgs (Max):±25V

Power Dissipation (Max):2.5W (Ta), 104W (Tc)

Supplier Device Package:8-PQFN (5x6)

Type:NPN

Características clave

Tipo

Transistor Bipolar

Uso

Interruptor de carga

Tipo de paquete

Montaje superficial

Tipo de Montaje

Montaje superficial

FET característica

Estándar

Los medios disponibles

Hoja de Datos

Tipo de Proveedor

Fabricante original

Poder-Max

--as datasheet

PAQUETE/cubierta

--as datasheet

Descripción

--as datasheet

Número de Modelo

FDMS86263P

Marca

Original manufacturer

Lugar del origen

Taiwan, China

Temperatura de funcionamiento

standard

Serie

--as datasheet

d/c

New Date code

Corriente de colector (Ic) (máx.)

--as datasheet

-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)

--as datasheet

Vce de saturación (Max) @ Ib Ic

--as datasheet

Corriente de colector de corte (Max)

--as datasheet

Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce

--as datasheet

-Frecuencia de transición

--as datasheet

Resistencia Base (R1)

--as datasheet

Resistencia-emisor Base (R2)

--as datasheet

FET tipo

--as datasheet

Tensión de drenador a fuente (Vdss)

--as datasheet

Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C

--as datasheet

Rds (Max) @ Id Vgs

--as datasheet

Vgs (th) (Max) @ Id

--as datasheet

La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs

--as datasheet

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)

--as datasheet

Frecuencia

--as datasheet

Corriente nominal (en amperios)

--as datasheet

Ruido

--as datasheet

Potencia de salida

--as datasheet

-Tensión nominal

--as datasheet

Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)

--as datasheet

Vgs (Max)

--as datasheet

Tipo IGBT de

--as datasheet

Vce (on) (Max) @ Vge Ic

--as datasheet

Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce

--as datasheet

De entrada

--as datasheet

Termistor NTC

--as datasheet

-Tensión de distribución (V (BR) GSS)

--as datasheet

Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)

--as datasheet

Corriente de drenaje (Id).

--as datasheet

-Tensión de corte (VGS) @ Id

--as datasheet

Resistencia-On (RDS)

--as datasheet

Tensión de salida-salida

--as datasheet

-Tensión Offset (Vt)

--as datasheet

Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)

--as datasheet

Corriente de Valle Iv)

--as datasheet

Corriente de pico

--as datasheet

Tipo de Transistor

--as datasheet

Tipo de montaje

--as datasheet

FET Type

P-Channel

Drain to Source Voltage (Vdss)

150 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

53mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250uA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±25V

Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta), 104W (Tc)

Supplier Device Package

8-PQFN (5x6)

Type

NPN

Empaque y entrega

Unidades de venta

Artículo individual

Tamaño del paquete

60X50X40 cm

Peso bruto

1.000 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más

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