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Transistores R6507KND3TL1 TO-252 en Stock, Componentes de Circuitos Electrónicos

Sin reseñas
EUR 1.52
100-3,099 unidades
EUR 0.7618
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

R6507KND3TL1

Marca

Original

Descripción

CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD, NCH 650V 7

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

TO-252

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
R6507KND3TL1
Marca
Original
Descripción
CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD, NCH 650V 7
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-252
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
650 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
7A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
665 miliohmios a 2,4 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 200µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
470 pF @ 25 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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