In Stock SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 H2PAK-7 Transistors SCTH40N120G2V-7 Electronics Components Set
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Atributos
Montaje superficialTipo de montaje
FETs, MOSFETsAplicación funcional
SCTH40N120G2V-7Número de Modelo
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
H2PAK-7Package / Case
Description:SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Package:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
FET Type:N-Channel
Technology:SiCFET (Silicon Carbide)
Características clave
Tipo de montaje
Montaje superficial
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Número de Modelo
SCTH40N120G2V-7
Lugar del origen
China
Marca
Original
Package / Case
H2PAK-7
Description
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Package
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
100 - 3,099 unidades
EUR 709
>= 3,100 unidades
EUR 355
Variantes
ElegirCaracterísticas
SCTH40N120G2V-7
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