In Stock TO-263-7 MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V S2M0080120J Transistors Electronic Chips Component
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Atributos
Montaje superficialTipo de montaje
FETs, MOSFETsAplicación funcional
S2M0080120JNúmero de Modelo
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
TO-263-7Package / Case
Description:MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Package:Tube
FET Type:N-Channel
Technology:SiCFET (Silicon Carbide)
Características clave
Tipo de montaje
Montaje superficial
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Número de Modelo
S2M0080120J
Lugar del origen
China
Marca
Original
Package / Case
TO-263-7
Description
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Package
Tube
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
100 - 3,099 unidades
EUR 467
>= 3,100 unidades
EUR 234
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S2M0080120J
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