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Transistores en Stock 8-TDFNW NTMTSC002N10MCTXG Componentes Electrónicos

Sin reseñas
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100-3,099 unidades
EUR169
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

NTMTSC002N10MCTXG

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 100V 45A/236A 8TDFNW

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-TDFNW (8.3x8.4)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
NTMTSC002N10MCTXG
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH 100V 45A/236A 8TDFNW
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-TDFNW (8.3x8.4)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
100 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
45A (Ta), 236A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
2mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 520µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
6305 pF @ 50 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
-
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje en superficie, flanco mojable
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

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