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Transistores en Stock PG-TDSON-8-6 BSC052N03S G Componentes Electrónicos para Circuitos

Sin reseñas
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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

BSC052N03S G

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

PG-TDSON-8-6

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
BSC052N03S G
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PG-TDSON-8-6
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
OptiMOS
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
30 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
18A (Ta), 80A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
5.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 40µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
22 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
2820 pF @ 15 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

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