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Características

IMZC120R022M2HXKSA1

Características principales

Número de Modelo

IMZC120R022M2HXKSA1

Tipo de montaje

A través del agujero

Lugar del origen

China

Marca

Original

Aplicación funcional

FETs, MOSFETs

Package / Case

PG-TO247-4-17

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Características clave

Tipo de montaje
A través del agujero
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Número de Modelo
IMZC120R022M2HXKSA1
Lugar del origen
China
Marca
Original
Package / Case
PG-TO247-4-17
Description
IMZC120R022M2HXKSA1
Package
Tube
FET Type
N-Channel
Technology
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

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