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Transistores TO-263HV IXTA1R6N100D2HV en Stock, Compre Componentes Electrónicos en Línea

Sin reseñas
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100-3,099 unidades
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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

IXTA1R6N100D2HV

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

TO-263HV

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IXTA1R6N100D2HV
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-263HV
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
Agotamiento
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel, Depletion Mode
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
1000 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
1.6A (Tj)
Rds (Max) @ Id Vgs
10 ohmios a 800 mA, 0 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
27 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
645 pF @ 10 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
0V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tubo
Tipo de FET
Canal N, modo de depleción
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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