Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos IC
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - LPDDR3 móvil
-Tensión de alimentación:1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:933 megahercios
Organización de la memoria:256M por 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:15 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
