Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
128 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes de Circuitos Electrónicos
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM -DDR
-Tensión de alimentación:2,4 V ~ 2,7 V
Frecuencia de reloj:250 megahercios
Organización de la memoria:8M por 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:12 segundos
Interfaz de Memoria:SSTL_2
