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Circuitos Integrados Chip MOSFET N-CH 250V 3.4A/12.3A PPAK Listo para Enviar N-Channel PowerPAK 1212-8S SISS92DN-T1-GE3
Sin reseñas
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1-2,999 unidades
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≥3,000 unidades
Cantidad
Características principales
Número de Modelo
SISS92DN-T1-GE3
Tipo de montaje
Montaje superficial
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
Canal N
Embalaje
PowerPAK 1212-8S, Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT)
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Características clave
Número de Modelo
SISS92DN-T1-GE3
Tipo de montaje
Montaje superficial
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
Canal N
Embalaje
PowerPAK 1212-8S, Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT)
tipo4
FETs individuales, MOSFETs
Descripción
MOSFET N-CH 250V 3.4A/12.3A PPAK
Serie
TrenchFET
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Tensión drenador-fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25C
3.4A (Ta), 12.3A (Tc)
Tensión de accionamiento (Rds On máx., Rds On mín.)
7.5V, 10V
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg