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Transistor MOSFET de Potencia de Canal P Jeking 4141 FDS4141

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Número de pieza del fabricante

FDS4141

Tipo

MOSFET

Marca

original brand

Tipo de paquete

-

Descripción

transistor

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Guangdong,China

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Características clave

Número de pieza del fabricante
FDS4141
Tipo
MOSFET
Marca
original brand
Tipo de paquete
-
Descripción
transistor
Lugar del origen
Guangdong,China
PAQUETE/cubierta
-
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Código de fecha de fabricación
2505
Uso
Electrónica
Tipo de Proveedor
Fabricante original, ODM, Agencia, Minorista
Referencia cruzada
-
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto
Corriente de colector (Ic) (máx.)
-
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
-
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
-
Corriente de colector de corte (Max)
-
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
-
Poder-Max
-
-Frecuencia de transición
--
Resistencia Base (R1)
--
Resistencia-emisor Base (R2)
-
FET tipo
Canal P
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
40V,40 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
10.8A (Ta),10.8A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
13mOhm @ 10.5A,10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250uA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
49nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
2670pF @ 20V,2670 pF @ 20 V
Frecuencia
-
Corriente nominal (en amperios)
-
Ruido
-
Potencia de salida
-
-Tensión nominal
-
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4.5V,10V
Vgs (Max)
±20V,±20V
Tipo IGBT de
-
Configuración
-
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
-
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
-
De entrada
-
Termistor NTC
-
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
-
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
-
Corriente de drenaje (Id).
-
-Tensión de corte (VGS) @ Id
-
Resistencia-On (RDS)
-
Tensión de salida-salida
-
-Tensión Offset (Vt)
-
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
-
Corriente de Valle Iv)
-
Corriente de pico
-
Tipo de montaje
SMD/SMT, Montaje Superficial
Número de pieza
FDS4141
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Disipación de potencia (máx.)
5W (Ta)
Paquete/Caja
8-SOIC

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