Atributos
TPD4E05U06DQARNúmero de Modelo
MOSFETTipo
JekingMarca
Agujero de labranzaTipo de paquete
ThyristorsDescripción
Guangdong, ChinaLugar del origen
PAQUETE/cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento:- 40 C~+ 125 C
Serie:-
d/c:newest
Uso:various
Tipo de Proveedor:Fabricante original, ODM, Agencia
Referencia cruzada:-
Los medios disponibles:Hoja de Datos, Foto
Corriente de colector (Ic) (máx.):-
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):-
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:-
Corriente de colector de corte (Max):-
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:-
Poder-Max:-
-Frecuencia de transición:-
Tipo de Montaje:Montaje superficial
Resistencia Base (R1):-
Resistencia-emisor Base (R2):-
FET tipo:N-Channel
FET característica:Estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss):200V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:18A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs:150mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250uA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:67nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):1160pF @ 25V
Frecuencia:-
Corriente nominal (en amperios):-
Ruido:-
Potencia de salida:-
-Tensión nominal:-
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):10V
Vgs (Max):±20V
Tipo IGBT de:-
Configuración:SOLO
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:-
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:-
De entrada:-
Termistor NTC:-
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):-
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):-
Corriente de drenaje (Id).:-
-Tensión de corte (VGS) @ Id:-
Resistencia-On (RDS):-
Tensión de salida-salida:-
-Tensión Offset (Vt):-
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):-
Corriente de Valle Iv):-
Corriente de pico:-
Manufacturer Part Number::TPD4E05U06DQAR
Voltage - Reverse Standoff (Typ):5.5V (Max)
Voltage - Breakdown (Min):6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp:14V
Current - Peak Pulse (10/1000us):2.5A (8/20us)
Power - Peak Pulse:40W
Power Line Protection:Yes
Applications:-
Mounting Type:Surface Mount
Base Product Number:TPD4E05U06
