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Jeking Electronic Limited
HK1 año
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Transistor MOSFET Jeking KG N-Channel 30V (D-S) SI1308EDL-T1-GE3

Sin reseñas
EUR1710
10-999 unidades
EUR1350
≥1,000 unidades
Características

Características principales

Número de pieza del fabricante

SI1308EDL-T1-GE3

Tipo

MOSFET

Marca

original brand

Tipo de paquete

Montaje superficial

Descripción

transistor

Lugar del origen

Guangdong,China

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Características clave

Número de pieza del fabricante
SI1308EDL-T1-GE3
Tipo
MOSFET
Marca
original brand
Tipo de paquete
Montaje superficial
Descripción
transistor
Lugar del origen
Guangdong,China
PAQUETE/cubierta
-, SC-70-3
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
SI1308EDL-T1-GE3
Código de fecha de fabricación
2505
Uso
varios
Tipo de Proveedor
Fabricante original, ODM, Agencia, Minorista, Otros
Referencia cruzada
-
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD, Otros
Corriente de colector (Ic) (máx.)
-
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
-
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
-
Corriente de colector de corte (Max)
-
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
-
Poder-Max
-
-Frecuencia de transición
-
Resistencia Base (R1)
-
Resistencia-emisor Base (R2)
-
FET tipo
-
FET característica
Estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
-
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
-
Rds (Max) @ Id Vgs
-,132mOhm @ 1.4A,10V
Vgs (th) (Max) @ Id
-,1.5V @ 250uA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
-,4,1 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
-,105 pF @ 15 V
Frecuencia
-
Corriente nominal (en amperios)
-
Ruido
-
Potencia de salida
-
-Tensión nominal
-
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
-
Vgs (Max)
-,±12V
Tipo IGBT de
-
Configuración
-
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
-
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
-
De entrada
-
Termistor NTC
-
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
-
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
-
Corriente de drenaje (Id).
-
-Tensión de corte (VGS) @ Id
-
Resistencia-On (RDS)
-
Tensión de salida-salida
-
-Tensión Offset (Vt)
--
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
-
Corriente de Valle Iv)
-
Corriente de pico
-
Tipo de montaje
SMD/SMT, Montaje Superficial
Número de pieza
SI1308EDL-T1-GE3
Disipación de potencia (máx.)
400mW (Ta),500mW (Tc)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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