Atributos
NGD8201AGNúmero de Modelo
JFETTipo
original brandMarca
Agujero de labranzaTipo de paquete
-Descripción
Guangdong, ChinaLugar del origen
PAQUETE/cubierta:TO-252
Temperatura de funcionamiento:-
Serie:NGD8201AG NGD8201AG NGD8201AG
d/c:-
Uso:-
Tipo de Proveedor:Agencia, ODM, Fabricante original
Referencia cruzada:-
Los medios disponibles:Foto, Hoja de Datos
Corriente de colector (Ic) (máx.):-
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):-
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:-
Corriente de colector de corte (Max):-
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:-
Poder-Max:-
-Frecuencia de transición:-
Tipo de Montaje:A través del agujero
Resistencia Base (R1):-
Resistencia-emisor Base (R2):-
FET tipo:-
FET característica:Estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss):-
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:-
Rds (Max) @ Id Vgs:-
Vgs (th) (Max) @ Id:-
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):-
Frecuencia:-
Corriente nominal (en amperios):-
Ruido:-
Potencia de salida:-
-Tensión nominal:-
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):-
Vgs (Max):-
Tipo IGBT de:-
Configuración:-
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:-
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:-
De entrada:-
Termistor NTC:-
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):-
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):-
Corriente de drenaje (Id).:-
-Tensión de corte (VGS) @ Id:-
Resistencia-On (RDS):-
Tensión de salida-salida:-
-Tensión Offset (Vt):-
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):-
Corriente de Valle Iv):-
Corriente de pico:-
Tipo de Transistor:-
Tipo de montaje:A través del agujero
Número de producto del fabricante:NGD8201AG NGD8201AG NGD8201AG
Paquete / Caja:HACIA-252
Estilo de Montaje:A través del agujero
Configuración:Soltero
Tensión colector-emisor VCEO máx.:1,2 kilovoltios
Voltaje de saturación colector-emisor:1,7 voltios
Tensión Máxima de Puerta-Emisor:- 20 voltios, 20 voltios
Corriente de colector continua a 25 °C:30 amperios
Pd - Disipación de Potencia:235 vatios
Temperatura Mínima de Operación:- 40 grados Celsius
