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Jeking Electronic Limited
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Transistores Jeking MOSFET 20V Vds 20V Vgs 6 X 3.7 Canal N SIZ710DT-T1-GE3

Sin reseñas
EUR883
100-499 unidades
EUR794
500-999 unidades
EUR704
≥1,000 unidades

Cantidad

Opciones de personalización
Embalaje (Pedido mínimo: 99.999 unidades)
Embalaje personalizado (Pedido mínimo: 99.999 unidades)

Características principales

Número de pieza del fabricante

SIZ710DT-T1-GE3

Tipo

MOSFET

Marca

original brand

Tipo de paquete

-

Descripción

transistor

Lugar del origen

Guangdong,China

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Características clave

Número de pieza del fabricante
SIZ710DT-T1-GE3
Tipo
MOSFET
Marca
original brand
Tipo de paquete
-
Descripción
transistor
Lugar del origen
Guangdong,China
PAQUETE/cubierta
-
Código de fecha de fabricación
2505
Uso
-
Corriente de colector (Ic) (máx.)
-
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
-
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
-
Corriente de colector de corte (Max)
-
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
-
Poder-Max
-
-Frecuencia de transición
-
Resistencia Base (R1)
-
Resistencia-emisor Base (R2)
-
FET tipo
-
Tipo de montaje
SMD/SMT
Número de pieza
SIZ710DT-T1-GE3
Paquete / Caja:
PowerPAIR-6x3.7-8
Configuración:
Doble
Polaridad del transistor:
Canal N
Tensión Colector-Emisor VCEO Máx:
300 V
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
- 20 V,+ 20 V
Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente:
1 V
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Pd - Disipación de potencia:
27 W,48 W

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual

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Opciones de personalización

Embalaje(+ desde /Pedido mínimo: 99,999 unidades)
Embalaje personalizado(+ desde /Pedido mínimo: 99,999 unidades)
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