find similar
4.7/5(506)
Calificación de la tienda
≤7h
Tiempo de respuesta
≥97%
Tasa de entregas a tiempo
15%
Tasa de recompra

Principales mercados: Estados Unidos de América, República de Corea, Canadá, India, Brasil

logo
5% OFF en EUR 1,800 | 8% OFF en EUR 4,400 | 10% OFF en EUR 8,700
arrow-logo

Transistor IGBT K75T60 K75T60A, Circuito Integrado de Interruptor de Potencia, Chip K75T60

Sin reseñas
EUR 0.5219-2.09
Cantidad mínima de compra: 1 unidad

规格

K75T60

Características principales

Número de pieza del fabricante

K75T60

Tipo

IGBT Transistor

Marca

Original

Tipo de paquete

Agujero de labranza

Descripción

Circuito Integrado de Transistor IGBT, Interruptor de Potencia, Chip de Circuito Integrado

Lugar del origen

Other

Envío

Tarifa de envío y fecha de entrega por definir. Chatea con el proveedor para confirmar los detalles.

Protección de pedidos de Alibaba.com

Pagos seguros

Todos tus pagos realizados en Alibaba.com están protegidos por cifrado SSL y protocolos de protección de datos PCI DSS

Devoluciones fáciles

Realiza devoluciones locales gratuitas por defectos en compras elegibles

Garantía de devolución de dinero

Solicita un reembolso si tu pedido no se envía, no llega o hay defectos en el producto

Pagos y financiación

4 pagos sin intereses con

Características clave

Número de pieza del fabricante
K75T60
Tipo
IGBT Transistor
Marca
Original
Tipo de paquete
Agujero de labranza
Descripción
Circuito Integrado de Transistor IGBT, Interruptor de Potencia, Chip de Circuito Integrado
Lugar del origen
Original
PAQUETE/cubierta
PARA-247
Temperatura de funcionamiento
/
Serie
K75T60
Código de fecha de fabricación
/
Uso
/
Tipo de Proveedor
/
Referencia cruzada
/
Los medios disponibles
/
Corriente de colector (Ic) (máx.)
/
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
/
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
/
Corriente de colector de corte (Max)
/
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
/
-Frecuencia de transición
/
Resistencia Base (R1)
/
Resistencia-emisor Base (R2)
/
FET tipo
/
FET característica
/
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
/
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
/
Rds (Max) @ Id Vgs
/
Vgs (th) (Max) @ Id
/
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
/
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
/
Frecuencia
/
Corriente nominal (en amperios)
/
Ruido
/
Potencia de salida
/
-Tensión nominal
/
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
/
Vgs (Max)
/
Tipo IGBT de
/
Configuración
/
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
/
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
/
De entrada
/
Termistor NTC
/
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
/
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
/
Corriente de drenaje (Id).
/
-Tensión de corte (VGS) @ Id
/
Resistencia-On (RDS)
/
Tensión de salida-salida
/
-Tensión Offset (Vt)
/
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
/
Corriente de Valle Iv)
/
Corriente de pico
/
Tipo de Transistor
Circuito Integrado de Transistor IGBT
Tipo de montaje
A través del agujero

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores