





Atributos
BSM180D12P2C101Número de Modelo
StandardTipo de montaje
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
FETs, MOSFETsAplicación funcional
ModulePackage / Case
Description:MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
Package:Bulk
Technology:Silicon Carbide (SiC)
Configuration:2 N-Channel (Half Bridge)













