LYPM2337S1P JSRI comunica transistores de efecto de campo MOS Nuevos Circuitos integrados originales Componentes electrónicos fabricados en China

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(319 reseñas)

Story Enterprise Limited

3 años

HK

Atributos

IGBT TransistorTipo

Interruptor de potencia de circuitosUso

Montaje superficialTipo de paquete

Montaje superficialTipo de Montaje

Carburo de silicio (SiC)FET característica

Puente completoConfiguración

Los medios disponibles:Hoja de Datos

Tipo de Proveedor:Agencia

Poder-Max:LYPM2337S1P

PAQUETE/cubierta:SOT23-Contáctenos

Descripción:P comunica los transistores de efecto de campo MOS

Número de Modelo:LYPM2337S1P

Marca:JSRI

Lugar del origen:China

Temperatura de funcionamiento:-55 °C ~ 150 °C

Serie:LYPM2337S1P

d/c:0,76 W

Referencia cruzada:LYPM2337S1P

Corriente de colector (Ic) (máx.):LYPM2337S1P

-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):LYPM2337S1P

Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:LYPM2337S1P

Corriente de colector de corte (Max):LYPM2337S1P

Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:LYPM2337S1P

-Frecuencia de transición:LYPM2337S1P

Resistencia Base (R1):LYPM2337S1P

Resistencia-emisor Base (R2):LYPM2337S1P

FET tipo:LYPM2337S1P

Tensión de drenador a fuente (Vdss):LYPM2337S1P

Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:LYPM2337S1P

Rds (Max) @ Id Vgs:LYPM2337S1P

Vgs (th) (Max) @ Id:LYPM2337S1P

La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:LYPM2337S1P

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):LYPM2337S1P

Frecuencia:LYPM2337S1P

Corriente nominal (en amperios):LYPM2337S1P

Ruido:LYPM2337S1P

Potencia de salida:LYPM2337S1P

-Tensión nominal:LYPM2337S1P

Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):LYPM2337S1P

Vgs (Max):LYPM2337S1P

Tipo IGBT de:LYPM2337S1P

Vce (on) (Max) @ Vge Ic:LYPM2337S1P

Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:LYPM2337S1P

De entrada:LYPM2337S1P

Termistor NTC:LYPM2337S1P

-Tensión de distribución (V (BR) GSS):LYPM2337S1P

Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):LYPM2337S1P

Corriente de drenaje (Id).:LYPM2337S1P

-Tensión de corte (VGS) @ Id:LYPM2337S1P

Resistencia-On (RDS):LYPM2337S1P

Tensión de salida-salida:LYPM2337S1P

-Tensión Offset (Vt):LYPM2337S1P

Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):LYPM2337S1P

Corriente de Valle Iv):LYPM2337S1P

Corriente de pico:LYPM2337S1P

Tipo de Transistor:LYPM2337S1P

Tipo de montaje:Montaje en superficie

IC:LYPM2337S1P

Pago:Paypal \ TT \ Western Union \ Trade Assurance

Nombre del producto:DC de paso abajo

Paquete:Paquetes originales

Número de parte:ICchip

Condición:Original 100%

Calidad:100% original 100% marca

Servicio:Servicio One Stop Bom

Envío POR:DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post

Características clave

Tipo

IGBT Transistor

Uso

Interruptor de potencia de circuitos

Tipo de paquete

Montaje superficial

Tipo de Montaje

Montaje superficial

FET característica

Carburo de silicio (SiC)

Configuración

Puente completo

Los medios disponibles

Hoja de Datos

Tipo de Proveedor

Agencia

Poder-Max

LYPM2337S1P

PAQUETE/cubierta

SOT23-Contáctenos

Descripción

P comunica los transistores de efecto de campo MOS

Número de Modelo

LYPM2337S1P

Marca

JSRI

Lugar del origen

China

Temperatura de funcionamiento

-55 °C ~ 150 °C

Serie

LYPM2337S1P

d/c

0,76 W

Referencia cruzada

LYPM2337S1P

Corriente de colector (Ic) (máx.)

LYPM2337S1P

-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)

LYPM2337S1P

Vce de saturación (Max) @ Ib Ic

LYPM2337S1P

Corriente de colector de corte (Max)

LYPM2337S1P

Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce

LYPM2337S1P

-Frecuencia de transición

LYPM2337S1P

Resistencia Base (R1)

LYPM2337S1P

Resistencia-emisor Base (R2)

LYPM2337S1P

FET tipo

LYPM2337S1P

Tensión de drenador a fuente (Vdss)

LYPM2337S1P

Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C

LYPM2337S1P

Rds (Max) @ Id Vgs

LYPM2337S1P

Vgs (th) (Max) @ Id

LYPM2337S1P

La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs

LYPM2337S1P

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)

LYPM2337S1P

Frecuencia

LYPM2337S1P

Corriente nominal (en amperios)

LYPM2337S1P

Ruido

LYPM2337S1P

Potencia de salida

LYPM2337S1P

-Tensión nominal

LYPM2337S1P

Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)

LYPM2337S1P

Vgs (Max)

LYPM2337S1P

Tipo IGBT de

LYPM2337S1P

Vce (on) (Max) @ Vge Ic

LYPM2337S1P

Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce

LYPM2337S1P

De entrada

LYPM2337S1P

Termistor NTC

LYPM2337S1P

-Tensión de distribución (V (BR) GSS)

LYPM2337S1P

Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)

LYPM2337S1P

Corriente de drenaje (Id).

LYPM2337S1P

-Tensión de corte (VGS) @ Id

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Resistencia-On (RDS)

LYPM2337S1P

Tensión de salida-salida

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-Tensión Offset (Vt)

LYPM2337S1P

Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)

LYPM2337S1P

Corriente de Valle Iv)

LYPM2337S1P

Corriente de pico

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Tipo de Transistor

LYPM2337S1P

Tipo de montaje

Montaje en superficie

IC

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Pago

Paypal \ TT \ Western Union \ Trade Assurance

Nombre del producto

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Paquete

Paquetes originales

Número de parte

ICchip

Condición

Original 100%

Calidad

100% original 100% marca

Servicio

Servicio One Stop Bom

Envío POR

DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post

Marca

Din-Tek Semiconductor Más información

Empaque y entrega

Unidades de venta

Artículo individual

Tamaño del paquete

100X100X100 cm

Peso bruto

0.030 kg

Tiempo de entrega

Opciones de personalización

LOGO (Pedido mínimo: 2,000 unidades)

Pattem (Pedido mínimo: 2,000 unidades)

Packaging Carton (Pedido mínimo: 2,000 unidades)

Ver detalles

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad

Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más

Personalizable

1 - 2,999 unidades

EUR 556

>= 3,000 unidades

EUR 513

Precio de muestra:EUR 5.56

Variantes

Características

LYPM2337S1P

Opciones de personalización

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Pattem (Pedido mínimo: 2,000 unidades)

Packaging Carton (Pedido mínimo: 2,000 unidades)

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