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Transistores IGBT LYPM2337S1P JSRI de Carburo de Silicio, Circuitos de Conmutación de Potencia CC Reductores de Montaje Superficial, Nuevos y Originales

Puntuación de la tienda: 4.6
(324 reseñas)
Story Enterprise Limited
3 años
HK

Atributos

IGBT TransistorTipo
Interruptor de potencia de circuitosUso
Montaje superficialTipo de paquete
Montaje superficialTipo de montaje
Carburo de silicio (SiC)FET característica
Puente completoConfiguración
Número de pieza del fabricante:LYPM2337S1P
Marca:JSRI
Descripción:P communicates MOS field effect transistors
Lugar del origen:China
PAQUETE/cubierta:SOT23
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C
Serie:LYPM2337S1P
Código de fecha de fabricación:0.76W
Tipo de Proveedor:Agencia
Referencia cruzada:LYPM2337S1P
Los medios disponibles:Hoja de Datos
Corriente de colector (Ic) (máx.):LYPM2337S1P
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.):LYPM2337S1P
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:LYPM2337S1P
Corriente de colector de corte (Max):LYPM2337S1P
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:LYPM2337S1P
Poder-Max:LYPM2337S1P
-Frecuencia de transición:LYPM2337S1P
Resistencia Base (R1):LYPM2337S1P
Resistencia-emisor Base (R2):LYPM2337S1P
FET tipo:LYPM2337S1P
Tensión de drenador a fuente (Vdss):LYPM2337S1P
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:LYPM2337S1P
Rds (Max) @ Id Vgs:LYPM2337S1P
Vgs (th) (Max) @ Id:LYPM2337S1P
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:LYPM2337S1P
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):LYPM2337S1P
Frecuencia:LYPM2337S1P
Corriente nominal (en amperios):LYPM2337S1P
Ruido:LYPM2337S1P
Potencia de salida:LYPM2337S1P
-Tensión nominal:LYPM2337S1P
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):LYPM2337S1P
Vgs (Max):LYPM2337S1P
Tipo IGBT de:LYPM2337S1P
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:LYPM2337S1P
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:LYPM2337S1P
De entrada:LYPM2337S1P
Termistor NTC:LYPM2337S1P
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):LYPM2337S1P
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):LYPM2337S1P
Corriente de drenaje (Id).:LYPM2337S1P
-Tensión de corte (VGS) @ Id:LYPM2337S1P
Resistencia-On (RDS):LYPM2337S1P
Tensión de salida-salida:LYPM2337S1P
-Tensión Offset (Vt):LYPM2337S1P
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):LYPM2337S1P
Corriente de Valle Iv):LYPM2337S1P
Corriente de pico:LYPM2337S1P
Tipo de Transistor:LYPM2337S1P
IC:LYPM2337S1P
Payment:Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
Product Name:Step-Down DC
Package:Original Packages
Part Number:ICchip
Condition:Original 100%
Quality:100% Original 100% Brand
Service:One Stop Bom Service
Shipping BY:DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Brand:Din-Tek Semiconductor
Operating Temperature:LYPM2337S1P
Description:LYPM2337S1P
Voltage:LYPM2337S1P
Applications:LYPM2337S1P
Type:transistors

Características clave

Tipo
IGBT Transistor
Uso
Interruptor de potencia de circuitos
Tipo de paquete
Montaje superficial
Tipo de montaje
Montaje superficial
FET característica
Carburo de silicio (SiC)
Configuración
Puente completo
Los medios disponibles
Hoja de Datos
Tipo de Proveedor
Agencia
Poder-Max
LYPM2337S1P
PAQUETE/cubierta
SOT23
Descripción
P communicates MOS field effect transistors
Número de pieza del fabricante
LYPM2337S1P
Marca
JSRI
Lugar del origen
China
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C
Serie
LYPM2337S1P
Código de fecha de fabricación
0.76W
Referencia cruzada
LYPM2337S1P
Corriente de colector (Ic) (máx.)
LYPM2337S1P
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
LYPM2337S1P
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
LYPM2337S1P
Corriente de colector de corte (Max)
LYPM2337S1P
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
LYPM2337S1P
-Frecuencia de transición
LYPM2337S1P
Resistencia Base (R1)
LYPM2337S1P
Resistencia-emisor Base (R2)
LYPM2337S1P
FET tipo
LYPM2337S1P
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
LYPM2337S1P
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
LYPM2337S1P
Rds (Max) @ Id Vgs
LYPM2337S1P
Vgs (th) (Max) @ Id
LYPM2337S1P
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
LYPM2337S1P
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
LYPM2337S1P
Frecuencia
LYPM2337S1P
Corriente nominal (en amperios)
LYPM2337S1P
Ruido
LYPM2337S1P
Potencia de salida
LYPM2337S1P
-Tensión nominal
LYPM2337S1P
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
LYPM2337S1P
Vgs (Max)
LYPM2337S1P
Tipo IGBT de
LYPM2337S1P
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
LYPM2337S1P
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
LYPM2337S1P
De entrada
LYPM2337S1P
Termistor NTC
LYPM2337S1P
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
LYPM2337S1P
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
LYPM2337S1P
Corriente de drenaje (Id).
LYPM2337S1P
-Tensión de corte (VGS) @ Id
LYPM2337S1P
Resistencia-On (RDS)
LYPM2337S1P
Tensión de salida-salida
LYPM2337S1P
-Tensión Offset (Vt)
LYPM2337S1P
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
LYPM2337S1P
Corriente de Valle Iv)
LYPM2337S1P
Corriente de pico
LYPM2337S1P
Tipo de Transistor
LYPM2337S1P
Tipo de montaje
Surface Mount
IC
LYPM2337S1P
Payment
Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
Product Name
Step-Down DC
Package
Original Packages
Part Number
ICchip
Condition
Original 100%
Quality
100% Original 100% Brand
Service
One Stop Bom Service
Shipping BY
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Brand
Din-Tek Semiconductor
Operating Temperature
LYPM2337S1P
Description
LYPM2337S1P
Voltage
LYPM2337S1P
Applications
LYPM2337S1P
Type
transistors

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
100X100X100 cm
Peso bruto
0.030 kg

Tiempo de entrega

Opciones de personalización

Logotipo(+ desde /Pedido mínimo: 2,000 unidades)
Información sobre pattem(+ desde /Pedido mínimo: 2,000 unidades)
Cartón de empaquetado(+ desde /Pedido mínimo: 2,000 unidades)
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