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Techbridge Co., Limited
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M5A26LS31P Circuito Integrado de Memoria SRAM de 1Mb, 128K x8, CMOS, Alta Velocidad, Bajo Consumo, Componente Electrónico

Sin reseñas
EUR131-566
Cantidad mínima de compra: 10 unidades

Cantidad

Características principales

Uso

Automatización, transmisión de energía eléctrica, Equipo electrónico

Material

Plástico, Cobre, PVC

Tipo de motor

Universal

Lugar del origen

Guangdong, China

Número de Modelo

M5A26LS31P

Marca

branded

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Características clave

Uso
Automatización, transmisión de energía eléctrica, Equipo electrónico
Tipo de motor
Universal
Material
Plástico, Cobre, PVC
Número de Modelo
M5A26LS31P
Lugar del origen
Guangdong, China
Marca
branded
Número de modelo
M5A26LS31P
Tipo de dispositivo / Función
(SRAM, EPROM, Microcontrolador, Módulo RF, etc.)
Tamaño / Capacidad de la Memoria
(p. ej., 256K x 8, 1M, etc.)
Tiempo de Acceso / Velocidad
(p. ej., 10 ns, 15 ns, 55 ns)
Rango de tensión de alimentación
(p. ej., 5 V, 3,3 V)
Rango de temperatura de funcionamiento
(por ejemplo, -40°C a +85°C)
Estilo de montaje
(Orificio pasante / Montaje superficial)
Tipo de interfaz
(Paralelo, Serie, etc.)
Tecnología
(CMOS, Bipolar, etc.)
Uso de la aplicación
(Industrial, Comunicación, Electrónica de Consumo, etc.)
Condición
100% nuevo 100% original
Garantía
1 año
MOQ
1 pieza
Tiempo de entrega
3-5 días
Término de envío
TNT DHL FEDEX EMS UPS
Condiciones de pago
Paypal\TT\Western Union\ Garantía comercial

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
10X20X10 cm
Peso bruto
2.000 kg

Tiempo de entrega

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