Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos Circuito Integrado
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FRAM (RAM Ferroeléctrica)
-Tensión de alimentación:1,8 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:256K por 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:150 segundos
Interfaz de Memoria:-
