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MDD50N03D MDD50N03 Transistor MOSFET, Circuito Integrado de Conmutación de Potencia, Chip MDD50N03D

Sin reseñas
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MDD50N03D

Tipo

MOSFET

Marca

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Circuito integrado de conmutación de potencia con transistor MOSFET

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Características clave

Número de pieza del fabricante
MDD50N03D
Tipo
MOSFET
Marca
Original
Tipo de paquete
Estándar
Descripción
Circuito integrado de conmutación de potencia con transistor MOSFET
Lugar del origen
Original
PAQUETE/cubierta
TO-252
Temperatura de funcionamiento
/
Serie
MDD50N03D
Código de fecha de fabricación
22+
Uso
/
Tipo de Proveedor
/
Referencia cruzada
/
Los medios disponibles
/
Corriente de colector (Ic) (máx.)
/
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
/
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
/
Corriente de colector de corte (Max)
/
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
/
Poder-Max
/
-Frecuencia de transición
/
Resistencia Base (R1)
/
Resistencia-emisor Base (R2)
/
FET tipo
/
FET característica
/
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
/
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
/
Rds (Max) @ Id Vgs
/
Vgs (th) (Max) @ Id
/
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
/
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
/
Frecuencia
/
Corriente nominal (en amperios)
/
Ruido
/
Potencia de salida
/
-Tensión nominal
/
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
/
Vgs (Max)
/
Tipo IGBT de
/
Configuración
/
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
/
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
/
De entrada
/
Termistor NTC
/
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
/
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
/
Corriente de drenaje (Id).
/
-Tensión de corte (VGS) @ Id
/
Resistencia-On (RDS)
/
Tensión de salida-salida
/
-Tensión Offset (Vt)
/
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
/
Corriente de Valle Iv)
/
Corriente de pico
/
Tipo de Transistor
Transistor MOSFET
Tipo de montaje
Estándar

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