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Transistor Bipolar de Alto Voltaje NPN MMBT5551, Chip IC SOT-23, Componente Semiconductor de Montaje Superficial SMD G1 MMBT5551

Sin reseñas
EUR 0.0542-0.7218
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MMBT5551

Tipo

Transistor Bipolar

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Transistor Bipolar de Alto Voltaje NPN Chip IC

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Características clave

Número de pieza del fabricante
MMBT5551
Tipo
Transistor Bipolar
Marca
Original
Tipo de paquete
Montaje superficial
Descripción
Transistor Bipolar de Alto Voltaje NPN Chip IC
Lugar del origen
Original
PAQUETE/cubierta
SOT-23
Temperatura de funcionamiento
/
Serie
MMBT5551
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Uso
Transistor Bipolar de Alto Voltaje NPN Chip IC
Tipo de Proveedor
Otros
Referencia cruzada
/
Los medios disponibles
/
Corriente de colector (Ic) (máx.)
/
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
/
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
/
Corriente de colector de corte (Max)
/
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
/
Poder-Max
/
-Frecuencia de transición
/
Resistencia Base (R1)
/
Resistencia-emisor Base (R2)
/
FET tipo
/
FET característica
/
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
/
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
/
Rds (Max) @ Id Vgs
/
Vgs (th) (Max) @ Id
/
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
/
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
/
Frecuencia
/
Corriente nominal (en amperios)
/
Ruido
/
Potencia de salida
/
-Tensión nominal
/
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
/
Vgs (Max)
/
Tipo IGBT de
/
Configuración
/
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
/
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
/
De entrada
/
Termistor NTC
/
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
/
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
/
Corriente de drenaje (Id).
/
-Tensión de corte (VGS) @ Id
/
Resistencia-On (RDS)
/
Tensión de salida-salida
/
-Tensión Offset (Vt)
/
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
/
Corriente de Valle Iv)
/
Corriente de pico
/
Tipo de Transistor
Transistor Bipolar de Alto Voltaje NPN Chip IC
Tipo de montaje
/

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