Atributos
onsemiMarca
MMBT5551LT1GNúmero de Modelo
Surface MountTipo de montaje
ChinaLugar del origen
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 225 mW Montaje en superficie SOT-23-3 (TO-236)Descripción
Para aplicación SMDAplicación
PAQUETE/cubierta:Cinta y carrete (TR)
Serie:Serie de MMBT
Características:Alta estabilidad y alta fiabilidad
Número de producto del fabricante:MMBT5551LT1G
Fabricante:Onsemi
Descripción:TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Categoría:Productos semiconductores discretos Transistores Bipolar (BJT)
Estado de la pieza:Activo
Serie:MMBT
Tipo de transistor:NPN
Colector de corriente (Ic) (Max):600 mA
Desglose del emisor del colector de voltaje:160 V
Saturación de Vce (máximo) @ Ib, Ic:200mV @ 5mA, 50mA
Ganancia actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Potencia máxima:225 mW
Frecuencia-Transición:--
Temperatura de funcionamiento:-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje:Montaje en superficie
Paquete/caso:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete del dispositivo del proveedor:SOT-23-3 (TO-236)
Número de producto base:MMBT5551
