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MOSFET IRF640NPBF TO-220 TO-220AB N-channel 200V 18A 150mOhm/10V 150W 4V 67nC/10V 1.16nF 53pF -55℃~+175℃ 185pF transistor

Sin reseñas
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Cantidad mínima de compra: 1 unidad

Características

IRF640NPBF
Opciones de personalización
Embalaje personalizado (Pedido mínimo: 10.000 unidades)

Características principales

Número de pieza del fabricante

IRF640NPBF

Tipo

MOSFET

Marca

Original

Descripción

MOSFET de canal N 200V 18A

Lugar del origen

Other

PAQUETE/cubierta

TO-220

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IRF640NPBF
Tipo
MOSFET
Marca
Original
Descripción
MOSFET de canal N 200V 18A
Lugar del origen
Original
PAQUETE/cubierta
TO-220
Temperatura de funcionamiento
-55℃~+175℃
Poder-Max
150W
FET tipo
Canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
200V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
18A
Rds (Max) @ Id Vgs
150mOhm/10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
67nC/10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1.16nF
Vgs (Max)
±20V
Tipo de embalaje
Orificio pasante
Tipo de montaje
Orificio pasante

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Un solo volumen
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