SANNY TECH LIMITED

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MOSFET N-CH 80V 11A/55A BSC123N08NS3GATMA1, Componentes Electrónicos, Compra con Soporte Completo para Lista de Materiales (BOM), PG-TDSON-8-1, Canal N

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1-4,999 unidades

EUR 0.1895

≥5,000 unidades

Cantidad

Características principales

Número de Modelo

BSC123N08NS3GATMA1

Tipo de montaje

Montaje superficial

Lugar del origen

China

Marca

Original

Aplicación funcional

Canal N

Embalaje

PG-TDSON-8-1, Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT)

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Características clave

Número de Modelo

BSC123N08NS3GATMA1

Tipo de montaje

Montaje superficial

Lugar del origen

China

Marca

Original

Aplicación funcional

Canal N

Embalaje

PG-TDSON-8-1, Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT)

tipo4

FETs individuales, MOSFETs

Descripción

MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON

Serie

OptiMOS

Tipo de FET

Canal N

Tecnología

MOSFET (Óxido Metálico)

Tensión drenador-fuente (Vdss)

80 V

Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25C

11A (Ta), 55A (Tc)

Tensión de accionamiento (Rds On máx., Rds On mín.)

6V, 10V

Empaque y entrega

Unidades de venta

Artículo individual

Tamaño del paquete

1X1X1 cm

Peso bruto

0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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