SANNY TECH LIMITED

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MOSFET N-CH 80V 3.2A/9.8A BUK6D81-80E DFN2020MD-6 Circuitos Integrados Electrónicos de Canal N, Servicio Integral

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1-2,999 unidades

EUR 0.0455

≥3,000 unidades

Cantidad

Características principales

Número de Modelo

BUK6D81-80E

Tipo de montaje

Montaje superficial

Lugar del origen

China

Marca

Original

Aplicación funcional

Canal N

Embalaje

DFN2020MD-6, Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT)

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Características clave

Número de Modelo

BUK6D81-80E

Tipo de montaje

Montaje superficial

Lugar del origen

China

Marca

Original

Aplicación funcional

Canal N

Embalaje

DFN2020MD-6, Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT)

tipo4

FETs individuales, MOSFETs

Descripción

MOSFET N-CH 80V 3.2A/9.8A 6DFN

Tipo de FET

Canal N

Tecnología

MOSFET (Óxido Metálico)

Tensión drenador-fuente (Vdss)

80 V

Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25C

3.2A (Ta), 9.8A (Tc)

Tensión de accionamiento (Rds On máx., Rds On mín.)

4.5V, 10V

Rds On (máx.) en Id, Vgs

81 mOhm a 3.2 A, 10 V

Empaque y entrega

Unidades de venta

Artículo individual

Tamaño del paquete

1X1X1 cm

Peso bruto

0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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