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Transistor MOSFET TO-3 59N30 FDA59N30 Fabricante Original de China

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600-1,499 unidades
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Número de pieza del fabricante

FDA59N30

Tipo

Transistor

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Lugar del origen

China

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Número de pieza del fabricante
FDA59N30
Tipo
Transistor
Marca
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China
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Tipo de Proveedor
Fabricante original
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
Hoja de datos de referencia
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
Hoja de datos de referencia
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
Hoja de datos de referencia
Resistencia Base (R1)
Hoja de datos de referencia
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
Hoja de datos de referencia
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
Hoja de datos de referencia
Rds (Max) @ Id Vgs
Hoja de datos de referencia
Vgs (th) (Max) @ Id
Hoja de datos de referencia
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
Hoja de datos de referencia
Frecuencia
Hoja de datos de referencia
Corriente nominal (en amperios)
Hoja de datos de referencia
Ruido
Hoja de datos de referencia
Potencia de salida
Hoja de datos de referencia
-Tensión nominal
Hoja de datos de referencia
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
Hoja de datos de referencia
Vgs (Max)
Hoja de datos de referencia
Tipo IGBT de
Hoja de datos de referencia
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
Hoja de datos de referencia
De entrada
Hoja de datos de referencia
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
Hoja de datos de referencia
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
Hoja de datos de referencia
Corriente de drenaje (Id).
Hoja de datos de referencia
-Tensión de corte (VGS) @ Id
Hoja de datos de referencia
Resistencia-On (RDS)
Hoja de datos de referencia
Tensión de salida-salida
Hoja de datos de referencia
-Tensión Offset (Vt)
Hoja de datos de referencia
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
Hoja de datos de referencia
Corriente de Valle Iv)
Hoja de datos de referencia
Corriente de pico
Hoja de datos de referencia

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Un solo volumen
0 cm³
Peso bruto
0.0 kg

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