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Transistor FET Mosfet MSCSM120AM027CD3AG, 2 Canales N, 1200V, 733A, Módulo MSCSM120AM027CD3AG

Sin reseñas
EUR 0.0882
Cantidad mínima de compra: 10 unidades
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Características

estándar

Características principales

Número de pieza del fabricante

MSCSM120AM027CD3AG

Tipo

IGBT Transistor

Marca

Original

Tipo de paquete

Montaje superficial

Descripción

MOSFET 2N-CH 1200V 733A D3

Lugar del origen

China

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Características clave

Número de pieza del fabricante
MSCSM120AM027CD3AG
Tipo
IGBT Transistor
Marca
Original
Tipo de paquete
Montaje superficial
Descripción
MOSFET 2N-CH 1200V 733A D3
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
Módulo
Código de fecha de fabricación
Nuevo
Uso
Transistor IGBT
Poder-Max
2,97 kW (Tc)
FET tipo
2 canales N (pata de fase)
FET característica
Carburo de silicio (SiC)
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
733A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
3.5mOhm @ 360A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.8V @ 9mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
2088nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
27000pF @1000V
Tipo de montaje
-2-/
Temperatura de funcionamiento
-40℃ ~ 175℃ (TJ)
Descripción
MSCSM120AM027CD3AG

Empaque y entrega

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Artículo individual

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