Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
1,125 TbitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:Flash - NAND
-Tensión de alimentación:2,5 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:333 megahercios
Organización de la memoria:144 ancho x 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
