Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
2 terabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
CajaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componente Electrónico
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:Flash - NAND
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:267 megahercios
Organización de la memoria:256G por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
