MT29F4T08EULCEM4-R:C TR Fabricante de Componentes Electrónicos de Circuitos Integrados, Memoria de Canal
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Atributos
FLASH - NAND (TLC)La tecnología
No volátilTipo de memoria
512G x 8Organización de la memoria
-Tipo de montaje
MT29F4T08EULCEM4-R:C TRNúmero de pieza del fabricante
OriginalMarca
Tamaño de la memoria:4Tbit
Lugar del origen:China
Descripción:IC FLASH 4TBIT PARALELO
Tipo de embajaje:Cinta y carrete (TR)
Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 70°C (TA)
PAQUETE/cubierta:-
Serie:-
-Tensión de alimentación:2.7V ~ 3.6V
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de memoria:Paralelo
Formato de memoria:FLASH
Características clave
La tecnología
FLASH - NAND (TLC)
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
512G x 8
Tipo de montaje
-
Número de pieza del fabricante
MT29F4T08EULCEM4-R:C TR
Marca
Original
Tamaño de la memoria
4Tbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC FLASH 4TBIT PARALELO
Tipo de embajaje
Cinta y carrete (TR)
Temperatura de funcionamiento
0°C ~ 70°C (TA)
PAQUETE/cubierta
-
Serie
-
-Tensión de alimentación
2.7V ~ 3.6V
Frecuencia de reloj
-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de memoria
Paralelo
Formato de memoria
FLASH
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
2,000 - 4,999 unidades
EUR 6433
>= 5,000 unidades
EUR 3217
Variantes
ElegirCódigo de fecha de fabricación
NUEVO
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