





Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
8 TbitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
CajaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Kit de Circuitos Integrados
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NAND (TLC)
-Tensión de alimentación:-
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:1T por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo













