Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
8 Gbit (NAND), 8 Gbit (LPDDR4)Tamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos en Línea
Tipo de memoria:No Volátil, Volátil
La tecnología:FLASH - NAND (SLC), DRAM - LPDDR4
-Tensión de alimentación:1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:1866 megahercios
Organización de la memoria:1G x 8 (NAND), 512M x 16 (LPDDR4)
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:30 segundos
Interfaz de Memoria:ONFI
