





Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SGRAM - GDDR5
-Tensión de alimentación:-
Frecuencia de reloj:1,5 GHz
Organización de la memoria:128M por 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo













