Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
12 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - LPDDR4 móvil
-Tensión de alimentación:1,1 V
Frecuencia de reloj:1,866 GHz
Organización de la memoria:384M por 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:-
