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MX35LF1GE4ABZ4IG 8 WDFN Memoria de Placa Expuesta, Chips Electrónicos, Canal del Fabricante de Componentes

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Atributos

Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
1 gigabitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NAND (SLC)
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:104 megahercios
Organización de la memoria:256M x 4 millones
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruples
Unidades de venta:Artículo individual
Tamaño del paquete:1X1X1 cm
Peso bruto:0.100 kg

Características clave

Tipo
Componente y Pieza
Código de fecha de fabricación
Nuevo
Tamaño de la memoria
1 gigabit
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
FLASH - NAND (SLC)
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
104 megahercios
Organización de la memoria
256M x 4 millones
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
SPI - E/S cuádruples

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

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