Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
128 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NO (SLC)
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:104 megahercios
Organización de la memoria:32M x 4, 64M x 2, 128M x 1
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:50 µs, 1,2 ms
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruples
