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Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

PMCM6501UNEZ

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 20V 8.7A 6WLCSP

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

6-WLCSP (1.48x0.98)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
PMCM6501UNEZ
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH 20V 8.7A 6WLCSP
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
6-WLCSP (1.48x0.98)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
20 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
8.7A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
21mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1050 pF @ 10 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
1.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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