Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
9 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos IC
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Sincrónico, SDR
-Tensión de alimentación:3,135V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj:166 megahercios
Organización de la memoria:256K por 36
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
