Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
1 MbitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados (IC)
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FRAM (RAM Ferroeléctrica)
-Tensión de alimentación:2V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj:3,4 megahercios
Organización de la memoria:128K por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:I2C
