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Componentes Electrónicos MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-R Memoria Die, Compra en Línea en el Canal del Fabricante

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Atributos

Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
64 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
A granelTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado Chip
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:Flash - NAND
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:8G por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo

Características clave

Tipo
Componente y Pieza
Código de fecha de fabricación
Nuevo
Tamaño de la memoria
64 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
A granel
Aplicación
Memoria
Características
Circuito Integrado Chip
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
Flash - NAND
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
8G por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripciónes de los productos del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores
1060 - 4059 unidades
EUR 207
>= 4060 unidades
EUR 104

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