Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados (IC)
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Asíncrono
-Tensión de alimentación:3V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:1M por 4
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:10 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
